半导体组件制造过程可分为：

• 前段（Front End）制程
  晶圆处理制程（Wafer Fabrication；简称 Wafer Fab）、
  晶圆针测制程（Wafer Probe）；
• 后段（Back End）
  构装（Packaging）、
  测试制程（Initial Test and Final Test）
一、晶圆处理制程
• 晶圆处理制程之主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子组件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程 ，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与 含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随着产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适 当的清洗（Cleaning）之后，接着进行氧化（Oxidation）及沈积，最后进行微影、蚀刻及离子植入等反复步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。
二、晶圆针测制程
• 经过Wafer Fab之制程后，晶圆上即形成一格格的小格 ，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的芯片，但是也有可能在同一片晶圆 上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过芯片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性， 而不合格的的晶粒将会被标上记号（Ink Dot），此程序即 称之为晶圆针测制程（Wafer Probe）。然后晶圆将依晶粒 为单位分割成一粒粒独立的晶粒
三、IC构装制程
• IC构装制程（Packaging）：利用塑料或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路
目的：是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。