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    离子植入（Ion Implant）
    文章来源：中国科学院微电子研究所 点击数： 更新时间：2008-5-19 【字体：小 大】
    （欢迎光临中国IEEE，希望本文能对您有所帮助http://www.cnieee.com)

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    关于〖离子植入（Ion Implant）〗的最新评论：
    离子植入技术可将掺质以离子型态植入半导体组件的特定区域上，以获得精确的电子特性。这些离子必须先被加速至具有足够能量与速度，以穿透（植入）薄膜，到达预定的植入深度。离子植入制程可对植入区内的掺质浓度加以精密控制。基本上，此掺质浓度（剂量）系由离子束电流（离子束内之总离子数）与扫瞄率（晶圆通过离子束之次数）来控制，而离子植入之深度则由离子束能量之大小来决定。
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