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二氧化硅膜的作用
由于硼,磷等杂质在二氧化硅中的扩散速率比硅中慢得多,则这些杂质可利用一定厚度的二氧化硅膜作为扩散时的掩蔽膜,在需要扩散的区域,采用光刻技术。
在硅片表面覆盖一层二氧化硅膜,将硅片表面和PN结与外界气氛隔离开来,就减弱了环境气氛对硅片表面状态的影响,从而提高了半导体器件的稳定性和可靠性,起到了钝化硅片表面的作用。
二氧化硅具有很高的电阻率,是良好的绝缘材料,所以在硅器件中做铝引线与薄膜下面元件之间的绝缘层。还可利用二氧化硅的绝缘性能来实现集成电路各元件之间的电隔离,即介质隔离。
二氧化硅膜的厚度和质量直接决定着MOS场效应晶体管的多个电参数。
在硅光电池表面生长一层二氧化硅膜,可以有效地防止光的反射,提高光电池的转换效率和短路电流。也用于光探测器。
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