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    常见蚀刻技术（干法、湿法、一般清洗）
    文章来源：本站整理 点击数： 更新时间：2008-5-19 【字体：小 大】
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    一般清洗技术

    工艺
    清洁源
    容器
    清洁效果
    剥离光刻胶
    氧等离子体
    平板反应器
    刻蚀胶
    去聚合物
    H2SO4:H2O=6:1
    溶液槽
    除去有机物
    去自然氧化层
    HF:H2O<1:50
    溶液槽
    产生无氧表面
    旋转甩干
    氮气
    甩干机
    无任何残留物
    RCA1#(碱性)
    NH4OH:H2O2:H2O=1:1:1.5
    溶液槽
    除去表面颗粒
    RCA2#(酸性)
    HCl:H2O2:H2O=1:1:5
    溶液槽
    除去重金属粒子
    DI清洗
    去离子水
    溶液槽
    除去清洗溶剂

                干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。它是硅片表面物理和化学两种过程平衡的结果。在半导体刻蚀工艺中，存在着两个极端：离子铣是一种纯物理刻蚀，可以做到各向异性刻蚀，但不能进行选择性刻蚀；而湿法刻蚀如前面所述则恰恰相反。人们对这两种极端过程进行折中，得到目前广泛应用的一些干法刻蚀技术。例如；反应离子刻蚀(RIE --Reactive Ion Etching)和高密度等离子体刻蚀(HDP)。这些工艺都具有各向异性刻蚀和选择性刻蚀的特点。反应离子刻蚀通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时兼有各向异性和选择性好的优点。目前，RIE已成为VLSI工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术。
          干法刻蚀借助等离子体中，产生的粒子轰击刻蚀区，是各向异性的刻蚀技术，即在被刻蚀的区域内，各个方向上的刻蚀速度不相同。湿法刻蚀是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料。通常，氮化硅、多晶硅、金属以及合金材料采用干法刻蚀技术，二氧化硅采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术。通过刻蚀，或者是形成了图形线条，如多晶硅条、铝条等，或者是裸露了硅本体，为将来的选择掺杂确定了掺杂的窗口。

    常见湿法蚀刻技术

    腐蚀液
    被腐蚀物
    H3PO4(85%):HNO3(65%):CH3COOH(100%):H2O:NH4F(40%）=76：3：15：5：0.01
    Al
    NH4(40%):HF(40%)=7:1
    SiO2,PSG
    H3PO4(85%)
    Si3N4
    HF(49%):HNO3(65%):CH3COOH(100%)=2:15:5
    Si
    KOH(3%~50%)各向异向
    Si
    NH4OH:H2O2(30%):H2O=1:1:5
    HF(49%):H2O=1:100
    Ti ,Co
    HF(49%):NH4F(40%)=1:10
    TiSi2
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