|
|
|
|
 |
 |
几种常见的光刻方法 |
2008-5-19 9:36:04 |
| ·这方面的资料很少，希望网友能贡献出更多的资料根据暴光方法的不同,可以划分为接触式光刻,接近式光刻和投影式光刻三种光刻技术.◆接触式光刻技术中,涂有光刻胶的硅片与掩膜版直接接触.由于光刻胶和掩膜版之间紧密接触,因此可以得到比较高的分辨率.接触式暴光的主要问题是容易损伤掩膜版和光刻胶.当掩膜版与硅片接触…… |
|
晶体缺陷简介三（层错） |
2008-4-13 21:39:29 |
| · 层错：硅单晶沿[111]方向生长，原子排列次序一定是 AA’BB’CC’…,但是由于某种原因，原子排列不按正常次序生长AA’BC’AA’BB’CC’…,这样原子层产生了错排。 产生的原因：固液交界面掉有固体颗粒或热应力较大，过冷度较大等都可能造成层错面缺陷的产生，…… |
|
晶体缺陷简介二（线缺陷，位错） |
2008-4-13 21:36:30 |
| ·刃型位错：在切应力的作用下发生局部滑移，发生局部滑移后晶体内在垂直方向出现了一个多余的半原子面。螺型位错：一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移，原子平面沿着一根轴线盘旋上升，每绕轴线一周，原子面上升一个晶面间距。在中央轴线处即为一螺型位错。 • &nb…… |
|
晶体缺陷简介一（点缺陷） |
2008-4-13 21:21:39 |
| · 点缺陷（零维缺陷）：空位、间隙原子、杂质原子、微缺陷（孔洞、 位错环、 氧沉淀等） 微电子的特征尺寸已达到45nm，而且还在超更小的方向发展，使的对cz硅单晶片的纯度与完美性的要求也日益严格。点缺陷不会影响器件的优品率，但会影响MOS器件的栅氧化层的完整性。因此一直受到广泛的研…… |
|
微电子之图解DOF |
2008-4-1 11:39:49 |
| ·什么是焦深:焦深就是纵向聚焦范围. 在光刻中有一个重要的参数就是DOF,很多人对DOF很熟,可是却理解的不够深入,别小看这个DOF,他不不仅仅是评价曝光设备的一个重要参数,也是在实际生产需要控制和研究的.DOF=K/(NA*NA) k is a constant for a…… |
|
微电子之什么叫接触式曝光 |
2008-4-1 11:38:25 |
| ·接触式曝光： 把先制备好的涂有光刻胶的wafer与掩膜版的表面接触，再进行曝光的方法，就叫接触曝光了吧？…… |
|
微电子中的光刻三要素 |
2008-4-1 11:36:23 |
| ·光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶负胶：分辨率差，适于加工线宽≥3…… |
|
光学光刻的介绍 |
2008-3-26 10:03:41 |
| ·随着微电子工业的飞速发展（特别是器件性能的提高和成本的降低），这将给集成电路制造来及封装来带来重要的变革．芯片的性能，速度，封装,这些都和光刻的最小尺寸密切联系．光刻，就是从一个快速的从芯片到芯片，晶圆到晶圆，衬底到衬底图形复制过程，它决定了一个微电子的产量成本． 光刻系统包括：曝光工具，光罩，光…… |
|
向50 nm拓进的光学光刻技术 |
2008-3-26 10:02:26 |
| ·向50 nm拓进的光学光刻技术蚤志义 龙动冲(信息产业部电子第Ti十五研究所，甘肃平凉 744＂摘 要:非光学下一代光刻技术的缓慢进展和国际半导体技术发展规划C URS)的加速，使光学光刻肩负着工C产业的重任，进一步向亚波长图形领域进军。为此，人们开发了大量的光学尤刻扩展技术 其中包括传统的缩短波长…… |
|
微电子工艺基础词汇(21-40) |
2008-3-26 9:56:38 |
| ·工艺基础词汇(21-40)21 B.O.E 缓冲蚀刻液 BOE是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蚀刻即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4F则作为缓冲剂使用。利用NH4F固定〔H＋〕的浓度，使之保持一定的蚀刻率。HF会浸蚀玻璃及任何含硅石的物质，对皮肤…… |
|
微电子中的光刻知识点 |
2008-3-23 14:24:48 |
| ·微电子中常见到的一些问题，不同工艺之间的区别问题，以及实验操作中出现的问题怎么样处理的一些看法何谓 DUV？ 答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。 I-line与DUV主要不同处为何? 答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也…… |
|
|
|
共 11 个文章 首页 上一页 下一页 尾页 页次：1/1页 20个文章/页 转到：
|
|
