刃型位错：在切应力的作用下发生局部滑移，发生局部滑移后晶体内在垂直方向出现了一个多余的半原子面。
螺型位错：一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移，原子平面沿着一根轴线盘旋上升，每绕轴线一周，原子面上升一个晶面间距。在中央轴线处即为一螺型位错。

•       1 位错是一个具有几个原子大小的线形通道，在位错线附近，原子发生严重错排和畸形。

•       2管道内原子平均能量教其他地方大的多，管道及其附近有较大的应力集中。在外力作用下位错线可以运动，选择腐蚀液容易在该处腐蚀，形成腐蚀坑。

•       3单晶体的位错线可以是直线，也可是是曲线，不会终止在晶体内部，一定终止在表面。

•       4位错具有两重性：对硅单晶性质的影响，一般是害多于利但同样可以利用他的某些特点，提高材料性质。

  其具体形式就是各种界面，常见的有晶界和晶相。界面对晶体的物理、化学和机械性能，以及诸如相变、腐蚀等过程都有重要的影响。