中国IEEE
关于我们 | 会员登陆 | 收藏本站 | 留 言 薄
 

 | 网站首页 | 电子知识 | 单片机知识 | 电路设计 | 微电子技术 | SCADA系统 | 资源下载 | 给我留言 | 谷歌商城 | 视频教程 | ieee | 
热门搜索关键字： 单片机教程 | 三极管 | 二极管 |  C语言 | 汇编语言 | SCADA | 元器件 | 模拟电子 |
cnieee.com baidu
栏目导航  
栏目更新推荐  
·晶体缺陷简介三（层错）
·晶体缺陷简介二（线缺陷，位错）
·晶体缺陷简介一（点缺陷）
·微电子之图解DOF
·微电子之什么叫接触式曝光
·微电子中的光刻三要素
·光学光刻的介绍
·向50 nm拓进的光学光刻技术…
点击TOP(10)  
  • 此栏目下没有热点文章
    		•
    图片文章  

    微电子之图解DOF
    		 
    您现在的位置： 中国IEEE中国电气电子工程师网 >> 微电子技术 >> 光刻工艺 >> 正文

    光学光刻的介绍
    文章来源：本站整理 点击数： 更新时间：2008-3-26 【字体：小 大】
    （欢迎光临中国IEEE，希望本文能对您有所帮助http://www.cnieee.com)

    相关文章：

    向50 nm拓进的光学光刻技术…
    微电子工艺基础词汇(21-40)

  • 上一个文章：

  • 下一个文章：

    • 【发表评论】【加入收藏】【告诉好友】【打印此文】【关闭窗口】
    　
    关于〖光学光刻的介绍〗的最新评论：
    随着微电子工业的飞速发展（特别是器件性能的提高和成本的降低），这将给集成电路制造来及封装来带来重要的变革．芯片的性能，速度，封装,这些都和光刻的最小尺寸密切联系．光刻，就是从一个快速的从芯片到芯片，晶圆到晶圆，衬底到衬底图形复制过程，它决定了一个微电子的产量成本．

    　　光刻系统包括：曝光工具，光罩，光阻，以及其它的一些从光罩图形到到光阻上转换的制程步骤，真到完成器件的制做．接下来我们结合集成电路制造来介绍几个非常好的光学光刻的观点．

    　从６０年代后期开始，集成电路的线完为：５微米，到了１９９７年，应用在６４Ｍ　DRAM电路上的最小尺寸已经达到０．３５微米，光学光刻已被广泛应用．这其中主要的大原因是光学曝光工具和光刻胶的的极大进步，尽管光学光刻系统的成本随着半导体芯片尺寸的减少而增加，但是光学光刻仍显的生机盎然，这因为它具有很不错的产能喽．也咱观点也符合ＩＢＭ研发部门在制程上的看法．
    　　
    　　电子束曝光和Ｘ线曝光被看做是继光学光刻后的一代光刻技术，然而，就当前的半导体业来说，电子束曝光的产能太低了，但由于其固有的高分辨性能，电子束光刻可以用来制造光学光刻用的光罩以及用在
    sub-quarter-micron级器件的光刻中．
    　　
      早在１９７０年，ＩＢＭ的Wilczynski组织了一批人，对光学光刻的极限进行了　进行了研究，在投影光学光刻中，其分辨率可由下式给出：
    Ｗ＝Ｋ１入／ＮＡ
    入：　为曝光波长，
    ＮＡ：数值孔径，
    Ｋ１：光刻的工艺常数

    在１９７５年Wilczynski的团队使用４０５nm（HG H-line）的曝光波长,在数值孔径为０．３２的条件下成功的完成线宽为１微米的步进重复投影曝光，这样一来给了光刻机的设备制造商很大的勇气进行光学光刻
    设备的研发和制造，由于不断的发展已经由最初的可见光４３６nm　Ｇ线，深紫外２４８nm波到１９３nm的曝光波长．

    　　随着光刻不断的变短，光源也就变的更加复杂，昂贵，对于Ｇ－Ｈ－Ｉ线的光源为高压卧汞灯提供，在２４８nm以ＫrF激光为曝光光源．
    | 设为首页 | 加入收藏 | 联系站长 | 友情链接 | 版权申明 | 网站地图 | 名站导航 | 管理登录 | 
    本站资源部分来自互联网,如侵犯您的权利,我们将予以删除  鲁ICP备08006092号
    本站欢迎同类网站做友情链接，QQ留言
    中国IEEE 中国电气电子工程师网 版权所有