键控式调光台灯利用两个轻触式按键调光，当轻触其中一个按键时，光线将由强变弱，轻触另一个按键时，光线便会由弱变强。
工作原理
电路原理见图1，VD1、VD2、C2、C3组成电容降压式直流电源，由MOS场效应管、C1等组成双向可控硅VS的触发电路。DW为保护二极管，防止场效应管栅极击穿。当按下S1时，由R1向C1充电，使栅极电压上升，可可控硅的触发电流上升，导通角变大，光线增加，当按下S2时，C1沿R2放电，栅极电压下降，可控硅的导通角变小，光线变暗。当S1、S2都放开时，由于MOS场效应管的栅源电阻很大，C1两端的电压将基本不变，所以可控硅的导通角也将不变，光线稳定下来。
元器件选择与制作
元器件清单见下表。
| 编 号 |
名 称 |
型 号 |
数 量 |
| R1 |
电阻 |
39K |
1 |
| R2 |
电阻 |
24K |
1 |
| R3、R4、R5 |
电阻 |
1K |
3 |
| C1、C2 |
电解电容 |
100ｕ/16V |
2 |
| C3 |
金属化纸介电容 |
0.47ｕ/400V |
1 |
| VD1、VD2 |
整流二极管 |
IN4007 |
2 |
| VDW1、VDW2 |
稳压二极管 |
2CW1 |
2 |
| VDW3 |
稳压二极管 |
2CW21 |
1 |
| VS |
双向可控硅 |
1A/400V 如3CTS1A |
1 |
| JF |
MOS场效应管 |
IDSS≥5ｍA，BVDS≥15V |
1 |
| S1、S2 |
轻触开关 |
|
2 |
场效应管JF的IDSS≥5ｍA，BVDS≥15V，可控硅VS选用1A/400V即可，如3CTS1A等。其它元件无特殊要求，具体数值已标在图（表）中。电阻R1、R2的数值决定了电容C1的充放电时间。在制作时，若光线变化太快时，应适当增大R1、R2的数值，反之应减小
